RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
57
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
25
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3593
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link