RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
57
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
27
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3784
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link