RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
57
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
40
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2772
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kllisre 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link