RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
57
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
30
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
1847
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link