RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
84
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
84
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
1574
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link