RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
57
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
23
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2561
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link