RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
57
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
32
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3060
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link