RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
57
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
45
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3233
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link