RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
57
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
27
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3327
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link