RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
57
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
26
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3876
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link