RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
57
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
26
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3547
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link