RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
57
Wokół strony -159% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
22
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3929
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link