RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
57
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
21
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3087
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link