RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
57
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
32
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2292
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link