RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
57
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
30
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2953
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Jinyu 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link