RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
57
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
46
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2961
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link