RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
57
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3419
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link