RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
64
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
64
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2205
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link