RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.5
5.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
57
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
31
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
1740
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link