RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
75
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
75
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
1763
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link