RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
57
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
43
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2058
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link