RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
57
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
36
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2353
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link