RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
3832
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link