RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
3372
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link