RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
3837
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link