RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
1768
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link