RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2402
3318
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link