RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
28
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
3534
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link