RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
24
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
3690
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905315-117.A00LF 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link