RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
22
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
22
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
3297
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link