RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
18
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
14
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
4182
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link