RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2222
3703
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link