RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.5
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1994
3601
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link