RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1994
2346
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link