RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1994
3649
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link