RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2489
2236
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-466.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link