RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
25
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2239
3429
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link