RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Porównaj
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
39
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1901
3137
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link