RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
4.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
4.7
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1021
3693
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Jinyu 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link