RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
73
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
4.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
34
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
4.7
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1021
2468
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link