RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
64
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
64
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2144
2197
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link