RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2144
2527
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link