RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
79
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
12
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
79
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
1651
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link