RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
74
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
74
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
1616
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link