RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2277
3110
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link