RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
30
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2792
3182
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link