RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Porównaj
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
86
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
5.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
86
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
5.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2792
1220
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link