RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
71
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
71
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2792
1650
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link