RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Porównaj
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1632
3300
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link