RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
70
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
70
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1632
1934
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link